7 febrero, 2008
IM Flash Technologies -empresa derivada de la alianza de Micron e Intel-, desarrolló una nueva tecnología de memoria flash NAND SLC, diseñada para alcanzar velocidades de transferencia cinco veces mayores que las conseguidas hasta el momento.
El prototipo está basado en celdas de único nivel (SLC, Single Level Cell) de 8 GB, y auspicia una lectura de datos a 200 Mbps y de escritura a 100 Mbps, utilizando el interfaz Open NAND Flash 2.0 y una arquitectura de cuatro planos.
Según Bill Lauer, director de marketing del grupo de memoria de Micron, esta plataforma permitirá descargas más rápidas y un acceso a la información más fluido entre el hardware, las aplicaciones y los dispositivos móviles.
El ejecutivo también aseguró que la flamante memoria flash aumentará la velocidad de los discos rígidos híbridos, y que la intención de Micron es incorporar el producto en su familia de unidades RealSSD.
Además, la compañía tiene pensado utilizar la memoria para aumentar la velocidad de sus interfaces PCI Express y USB 3.0, que aún están en desarrollo.
De acuerdo al portal idg.es, Joe Unsworth, analista de Gartner, indicó que la tecnología NAND de Micron e Intel debería servir para expandir este tipo de memoria flash entre los usuarios que buscan prestaciones más avanzadas.
Sin embargo, Unsworth advirtió que el precio de esta nueva infraestructura limitará su uso a las unidades de disco USB y a las tarjetas de memoria flash. “Los precios de la NAND de Micron deberán bajar para poder competir con los discos rígidos”, añadió.
Actualmente, la novedad de IM Flash Technologies está siendo evaluada por distintos fabricantes y la compañía tiene previsto comenzar su producción en serie a mediados de este año.
