9 mayo, 2012
Sin siquiera un estándar oficial para su fabricación, la próxima generación de memorias RAM se avecina. De hecho, son muchos los fabricantes que están enviando muestras de sus primeras unidades de memoria con esta tecnología, lo que demuestra una clara intención de comenzar a producirlas en masa para 2013, al menos para colocarlas en el mercado primigenio de servidores, en tanto haya micros que los acepten.
Para mediados de este año está prevista la publicación de las especificidades normativas para este nuevo estándar de memoria, aunque ya se habían hecho avances significativos en esta materia en agosto pasado. Algunas de las principales características citaban un rango de funcionamiento que no supere los 1,2 voltios, un 20% menos que las actuales DD3, y transferencias de hasta 3200 millones de datos por segundo, el doble que las más rápidas DDR3. Para hacerse idea, Micron, recientemente ingresado en este mercado emergente, reveló una transferencia de datos de 2400 millones/s, mientras que Samsung lanzaría una primera “camada” de memorias DDR4 con una trasferencia de 2113 millones/s.
Samsung es seguramente una de las firmas más adelantadas en DDR4. En diciembre de 2010 ya comenzaba a distribuir muestras de sus primeros módulos de 2Gb DDR4, mientras que para enero de 2011 ya había completado el desarrollo de sus primeras memorias de 4Gb. Hynix, otro gigante coreano del semiconductor, lanzó sus primeros pasos en el DDR4 al mes siguiente.
Pero, ¿cómo funcionan? De la misma forma que sus antecesores, las memorias DDR4 son Double Data Rate, eso quiere decir que trasladan sus datos dos veces por la memoria del bus por cada ciclo. Pero parece que eso es lo único que emparenta a estas memorias con las anteriores DDR, ya que en lugar de usar varios canales compartidos para unir la memoria con el procesador, cada módulo DDR4 tiene su propia conexión con el controlador de memoria.
Evidentemente, las virtudes del DDR4 son muchas, pero hay un precio. Uno de ellos es el espacio: hay que acomodar todas esas conexiones de memoria extra en algún lugar. Las conexiones punto a punto con el micro harían que los módulos de memoria sean más densos en su diseño, para tratar de mantenerse en un mismo espacio. Esta mayor densidad representaría un costo extra en la fabricación.
Otro de los problemas, en tanto, es que la comunicación directa entre cada módulo de memoria y el CPU, si bien permiten una lectura y escritura de datos más veloz por ciclo, complicaría el manipuleo de grandes cantidades de memoria. Esta cuestión en particular podría solucionarse con interruptores digitales que reduzcan el número de canales conectados al controlador de memoria del micro.
La obvia pregunta que surge de todo esto es ¿cuándo llegarán al hogar las DDR4? La respuesta ya no depende tanto de los fabricantes coreanos de memorias, sino de los fabricantes de micros. Justamente, Intel ya anunció que se tomará hasta 2014, momento en el cual la serie Xeon Haswell-EX incluirá esta tecnología. Probablemente los usuarios hogareños tengan que esperar todavía un poco más.
Vía: ArsTechnica
