22 diciembre, 2008
Un grupo de investigadores de la Universidad de Rice, liderado por el profesor James Tour, demostró la posibilidad de hacer crecer grafeno –un material derivado del carbón que es técnicamente 10 capas menor que el grafito– por encima del silicio y utilizarlo para almacenar bits de datos.
Las memorias que podrían construirse con esta tecnología proporcionarían más capacidad que la que ofrecen las actuales memorias flash, soportarían temperaturas de 200 grados Celsius, e incluso radiaciones que, en el caso de las memorias de discos de estado sólido, se desintegrarían.
Además, este prototipo podría llegar a reemplazar a las memorias flash NAND de 20 nanómetros, dado que utilizando grafeno, los bits podrían hacerse de tan sólo 10 nanómetros.
Asimismo, al contrario de lo que ocurre con las memorias flash NAND, que son controladas por tres terminales o cables, las memorias de grafeno requieren dos terminales que, por ejemplo, las harían más viables para arrays tridimesionales.
Por otra parte, tal y como sucede con las memorias flash, los chips fabricados con grafeno prácticamente no consumirán energía mientras los datos permanezcan intactos, y generarían muy poco calor.
En este sentido, otra ventaja del grafeno es que se distingue de futuros medios de almacenamiento por su ratio “on-off”, esto es, por la cantidad de electricidad que un circuito mantiene cuando está encendido en comparación a cuando está apagado.
Según James Tour, “la diferencia es de un millón a uno. Las memorias de cambio de fase, la otra tecnología que están considerando en la industria, presentan un ratio de 10 a uno. Lo que significa que el estado de apagado mantiene una décima parte de la cantidad de electricidad que se utiliza en el modo encendido”.
Por el momento, el equipo de investigadores que comenzó sus primeras pruebas con el grafeno hace un año y medio, testeó dicha tecnología en entornos de -75ºC hasta 200ºC y, en lo que a la velocidad respecta, sólo probó la memoria de grafeno en tiempos de 100 nanosegundos, “aunque estamos seguros de que podrá ser aún más rápida” afirmó Tour.
