14 abril, 2008
De acuerdo a un estudio publicado en la revista Science, y difundido por la agencia de noticias EFE, científicos de IBM anunciaron el desarrollo de una memoria de estado sólido que combina características de las memorias flash – ya que no posee ninguna pieza móvil–, y el bajo costo de los discos duros, y promete ser más estable y duradera.
El dispositivo se denomina racetrack y, según Stuart Parkin, portavoz de IBM, almacena información en miles de átomos en nanocables magnéticos, y lee 16 bits de datos a través de un sólo transistor, por lo que lee y escribe la información hasta 100.000 veces más rápido que las memorias flash.
Además, sin que se muevan los átomos, una carga eléctrica hace que los datos se muevan rápidamente a través de un conducto U-shaped que facilita que los datos se lean y escriban en menos de un nanosegundo, unidad normalmente utilizada para medir el tiempo de acceso a la RAM.
Si bien la flamante memoria aún está en una fase muy incipiente de desarrollo, Parkin también destacó que los investigadores del Gigante Azul ya llevan trabajando en este concepto desde hace 4 ó 5 años, por lo que la compañía espera poder proporcionar terabytes de almacenamiento en algunos equipos que integren este tipo de memorias dentro de pocos años, informó el portal idg.es.
“Nos llevará de dos a cuatro años poder desarrollar un prototipo en el que podamos construir estos elementos de lectura y escritura en una escala nanoscópica. En cuatro años quizá podemos demostrar que funciona y, entonces, comercializarlo”, concluyó el vocero.
