17 noviembre, 2016
Qualcomm anunció este jueves el lanzamiento de su nuevo chip de alta gama, el Snapdragon 835, que reemplazará a los Snapdragon 821 y 820, utilizados actualmente en el segmento premium de smartphones.
La empresa no dijo mucho acerca de lo que es capaz de realizar el nuevo chip, pero ha confirmado algunos detalles. Se construirá con un proceso de fabricación de 10nm 10LPE FinFET de Samsung, a diferencia con el proceso de 14nm utilizado en el 821. Samsung asegura que el proceso de 10nm puede permitir una combinación de hasta un 30 por ciento de reducción en el tamaño del dispositivo, un 27 por ciento más de rendimiento, y un 40 por ciento menos de consumo de energía.
La única característica que Qualcomm confirmó es la última versión de Quick Charge, una tecnología patentada que permite entregar alta tensión y corriente a través de cables USB con el fin de cargar la batería más rápido. Para ello, se basó en la señalización y el uso no estándar de las conexiones USB. Esto planteó varios problemas de incompatibilidad, por lo que Google incluso desalentó fuertemente el uso de esta plataforma en su último documento de definición de compatibilidad de Android.
Chick Charge 4 no sólo ofrecerá una carga aún más rápida, sino que además una carga de 5 minutos proporcionará 5 horas de duración de la batería y una carga de 15 minutos será suficiente para llevar un teléfono al 50% de batería. También, esta vez, la carga que es compatible con la especificación de entrega de alimentación USB (PD).
Los chips ya están en producción y llegarán al mercado en la primera mitad de 2017. El Galaxy S8 de Samsung será uno de los primeros equipos en utilizarlo.
Fuente: ArsTechnica
